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IXTY1R4N120P IXTA1R4N120P
IXTP1R4N120P
2.8
Fig. 7. Transconductance
3.5
Fig. 8. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
T J = - 40oC
25oC
125oC
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
10,000
V SD - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
V DS = 600V
f = 1 MHz
8
I D = 0.7A
I G = 10mA
1,000
Ciss
7
6
5
100
Coss
4
3
10
2
1
0
1
Crss
0
4
8
12
16
20
24
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
1
0.1
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
V DS - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: IXT_1R4N120P (2C) 4-01-08-A
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